Компания Samsung объявила о том, что она стала первым в промышленности чипмейкером, наладившим серийное производство SoC на 10-нм технологическом процессе FinFET.
Новый техпроцесс использует передовую 3D-структуру транзисторов с рядом дополнительных улучшений по сравнению с 14-нм технологиями. Это позволило компании добиться до 30% увеличения эффективности использования площади, 27% прироста производительности или 40% снижения энергопотребления.
Аппаратные платформы на 10-нм техпроцессе начнут использоваться в технике Samsung уже в начала 2017 года. И в течение года будут становиться все более широко доступны. А первым смартфоном на подобном чипсете, как мы слышали, должен стать флагманский Samsung Galaxy S8, который будет построен на фирменном чипсете Samsung или платформе Snapdragon 830. И наши коллеги из Electronic Times уже говорили о том, что единственным производителем последней SoC станет компания Samsung, а при производстве этого чипсета будут использоваться 10-нм технологии.
Кроме того, в компании отметили, что массовое производство продукции на следующем поколении 10-нм технологий (10LPP) начнется во второй половине следующего года и принесет с собой еще большее увеличение производительности.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор Intel Kaby Lake. Первые процессоры на базе архитектуры Intel Core седьмого поколения, известные под кодовым название Kaby Lake, представляют собой результат оптимизации микроархитектуры Skylake, и ориентированы на пользователей, не обновлявших свои системы в течение пяти лет. Подробнее об этом читайте в статье «Intel Kaby Lake: 14 нм+, повышенные частоты, новое графическое ядро».
