Компания объявила о разработке первого в индустрии чипа мобильной памяти LPDDR4 DRAM объёмом 8 Гбит, который отличается низким энергопотреблением, а также рекордными в своём классе плотностью и производительностью.
Созданная мобильная DRAM изготовлена с соблюдением 20-нм технологических норм, позволивших разместить на одном кристалле 1 Гбайт оперативной памяти. Чип с фирменным интерфейсом ввода/вывода LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic) характеризуется высокой пропускной способностью на один вывод, достигающей 3200 Мбит/с. Это в два раза выше показателей представленных на рынке 20-нм микросхем LPDDR3 DRAM, к тому же, новинка потребляет до 40% меньше энергии.
Четыре кристалла плотностью 8 Гбит могут быть объединены в одном корпусе. По заявлению производителя, модули оперативной памяти объёмом 4 Гбайт являются идеальным решением для мобильных устройств нового поколения, включая смартфоны с большими UHD-экранами, планшеты и ультратонкие ноутбуки со сверхвысоким разрешением дисплея.
Массовое производство мобильной памяти LPDDR4 DRAM от Samsung начнётся в 2014 году.
Ранее редакторы THG постарались учесть все факторы и опубликовали ежемесячно обновляемый материал, в котором рекомендовали действительно лучший твердотельный накопитель в любой ценовой категории – от дешевле $100 до топового сегмента. Подробнее об этом читайте в статье “Лучший SSD: текущий анализ рынка”. Заодно вы найдёте там ссылки на самые актуальные развёрнутые обзоры, если захотите уточнить что-нибудь.
Популярные материалы:
Как использовать NAS: полное руководство по выбору и настройке
Обзор SSD OCZ Vector 150: новый флагман на основе флэш-памяти 19 нм
Samsung выпустит чипы флэш-памяти с вертикальной архитектурой 3D Vertical NAND
CES 2014. Thecus N7710/N8810U: NAS-устройства для дома и офиса
Kingston KC300: обновлённая серия SSD-накопителей
|
следующая новость предыдущая новость |
||
|
