В последние годы увеличение плотности флэш-памяти достигалось за счёт введения новых технологических норм, однако с появлением первых 10-нанометровых микросхем производители вплотную приблизились к пределам масштабируемости стандартной архитектуры NAND. В свою очередь, компания Samsung первой освоила выпуск памяти с трёхмерной структурой ячеек. 3D Vertical NAND позволяет объединять до 24 вертикальных слоёв ёмкостью по 128 Гбит (16 Гбайт) каждый, а в будущем инженеры южнокорейского гиганта планируют увеличить максимальную вместимость чипа до 1 Тбайт.
По заявлению производителя, 3D V-NAND от двух до десяти раз надёжнее 10-нм флэш-памяти, построенной на транзисторах с плавающим затвором, кроме того, в новых микросхемах удвоена скорость записи информации. Добавим, что технология Charge Trap Flash исключает взаимодействие между соседними слоями и сокращает себестоимость производства кристалла. Ожидается, что первые твердотельные накопители на основе 3D Vertical NAND появятся до конца 2013 года, позже трёхмерная NAND-память будет использоваться в мобильных устройствах и планшетных компьютерах.
Представители Samsung также отметили, что многослойная структура увеличит толщину чипа всего на несколько микрон.
Ранее редакция THGопубликовала обзор SSD-накопителя SanDisk Extreme II. В новой модели от SanDisk появился контроллер Marvell 88SS9187, NAND-память Toggle-mode собственного производства, изготовленная по 19-нм техпроцессу, а также оригинальная прошивка. Неудивительно, что тестирование нового твердотельного накопителя и его сравнение с решениями конкурентов вызвало у нас самый пристальный интерес. Подробнее об этом читайте в статье “Обзор SanDisk Extreme II: ещё один SSD-тяжеловес”.
Популярные материалы:
Лучший SSD: текущий анализ рынка
Эксперимент: может ли дополнительное ОЗУ продлить срок службы SSD?
Обзор Seagate Desktop HDD 4TB: высокая ёмкость и 5900 RPM
Samsung SSD 840 EVO/XS1715: SSD объёмом до 1,6 Тбайт
Toshiba расширила ассортимент флэш-накопителей
|
следующая новость предыдущая новость |
||
|
