 |
15:35 [Константин Серебряков]
65-нанометров от Intel уже скоро
- Материнские платы на чипсетах Intel 925X и 915P: обзор девяти моделей
- Тестирование четырёх систем водяного охлаждения
- Shuttle XPC SB81P: мини-ПК для Socket 775
- Aopen XC Cube AV: следующая эволюция мини-ПК
- Блок питания Antec Neopower 480: новая система распределения кабелей
- Обзор 13 мини-ПК: стильные и маленькие
Согласно закону Мура, количество транзисторов на микросхеме удваивается каждые два года, что приводит к увеличению функциональности и производительности и снижению стоимости каждого транзистора. С уменьшением транзисторов возникают проблемы, связанные с увеличением энергопотребления и выделения тепла. В связи с этим для обеспечения дальнейшего развития очень важно внедрять новые функции, методики и структуры. Для решения этой задачи корпорация Intel интегрировала в 65-нанометровую производственную технологию функции энергосбережения. Эти функции играют важнейшую роль для обеспечения эффективного энергопотребления в компьютерных и коммуникационных устройствах будущего.
Новая технология «напряженного кремния», впервые реализованная корпорацией Intel в 90-нанометровой производственной технологии, в 65-нанометровой технологии улучшена. Во втором поколении технологии «напряженного кремния» производительность транзисторов увеличилась на 10-15% без возрастания утечки электрического тока. В транзисторах, созданных по 65-нм технологии, объем утечки уменьшен в четыре раза по сравнению с транзисторами на базе 90-нанометровой производственной технологии. В результате этого транзисторы на базе 65-нанометровой производственной технологии обеспечивают более высокую производительность без повышения утечки (большая утечка электрического тока приводит к выделению большого количества тепла).
В транзисторах на базе 65-нанометровой производственной технологии корпорации Intel размер затвора уменьшен до 35 нм, а толщина оксидного слоя затвора уменьшена до 1,2 нм. Сочетание этих факторов обеспечивает высокую производительность и уменьшенную электроемкость затвора. Уменьшение электроемкости затвора обеспечивает сокращение общего энергопотребления микросхемы. В новой производственной технологии также используются восемь промежуточных слоев из меди и диэлектрический материал с низким коэффициентом проводимости (low-k диэлектрик), увеличивающих скорость передачи сигнала в микросхеме и сокращающий энергопотребление.
Также корпорация Intel включила в микросхемы SRAM на базе 65-нанометровой производственной технологии так называемые транзисторы сна (sleep transistors). Транзисторы сна отключают подачу тока на большие блоки памяти SRAM, когда они не используются, что значительно снижает энергопотребление микросхемы. Эта функция особенно полезна для устройств с питанием от батареи, например, для мобильных ПК.
Полупроводниковые устройства корпорации Intel на базе 65-нанометровой производственной технологии были изготовлены с использованием 300-миллиметровых подложек в производственной лаборатории завода D1D в Хиллсборо (Орегон, США), где была разработана сама технология. Первые массовые продукты Intel с использованием 65-нанометровой производственной технологии должны появиться в конце 2005 — начале 2006 года, а само внедрение технологии намечено уже на начало 2005 года. Возможно, что в новых процессорах изготовленных по 65-нанометровой производственной технологии Intel будет использовать различное напряжение питания для ядра и памяти, что в теории позволит снизить рассеиваемую мощность и увеличить производительность.
Популярные статьи на THG.ru:
