 |
22:55 [Станислав Васильев]
OCZ выпустит новые небуферизированные модули DDR
OCZ Technology Group в ближайшее время начнет производство новых модулей небуферизированной памяти DDR 400 МГц объемом 1 Гб. Модули будут поставляться поштучно или в наборе по два, подготовленном методом ручного отбора для двухканальной работы. Характеристики модулей включают показатели латентности CL3-3-3-7, напряжение по умолчанию 2,6В. Отличительной особенностью нового продукта является применение объявленной недавно технологии Ultra Low Noise 2 (ULN2) для минимизации электронного шума и помех.
