Согласно последним сообщениям, руководство Samsung собирается приостановить оптимизацию уже существующей технологии полупроводниковой литографии FF EUV с ее освоением до уровня готовности к массовому производству по 4-нм нормам и сразу перейти на массовый выпуск продукции на базе принципиально нового 3-нм техпроцесса GAAFET. В случае успешной реализации таких планов, Samsung сможет сделать качественный рывок вперед и серьезно уйти вперед в отрыв в своей конкурентной борьбе с TSMC.
Однако многие эксперты указывают на большие риски для Samsung. Компания может столкнуться с ними в результате возможных задержек, которые иногда возникают при освоении качественно новых техпроцессов.
Нынешние реалии таковы, что на переднем крае производства полупроводников сейчас находятся три компании – TSMC, Intel и Samsung. В тоже время основная конкурентная борьба сейчас складывается между TSMC и Samsung, которые готовятся начать активно внедрять в ближайшие годы производство по технормам ниже 7 нм.
Выбор Samsung связан не с принципиальной заменой стратегии развития, а ее коррекцией. Согласно ранее объявленным планам, Samsung планировал освоить в 2021 году два базовых техпроцесса: 4 нм FF EUV и 3 нм GAAFET. Оба техпроцесса являются развитием нынешнего 7-нм техпроцесса с литографией в глубоком ультрафиолетовом диапазоне (EUV), одним из лидеров в освоении которого является сегодня Samsung. Однако между ними есть принципиальное отличие.
Первое направление, связанное с освоением 4 нм техпроцесса FF EUV, представляет собой естественное развитие уже существующей технологии FinFET-печати в глубоком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Эта технология уже освоена на принципиальном уровне и сейчас идет ее оптимизация по пути снижения применяемых технологических норм. Если ныне в массовом производстве освоены нормы 7 и 6 нм, то ранее Samsung планировала осуществить постепенный переход до норм 4 нм.
Второе направление разработок 3 нм GAAFET связано с освоением принципиально новой технологии выпуска полупроводниковых пластин, основанной на горизонтальном расположении каналов и применения круговых затворов (Gate-All-Around Field-Effect Transistor — GAAFET) в конструкции транзисторов. Его реализация серьезно отличается от индустриального стандарта FinFET с вертикальным расположением каналов, где затворы подводятся к каналу только с трех сторон.
Новая технология применения кругового затвора GAAFET позволяет избавиться от избыточной утечки тока. Это достигается благодаря тому, что круговой затвор должен полностью опоясывать канал.
Новый подход существенно улучшает контроль над каналом, что позволяет уменьшить размер узла. Благодаря применению более эффективной конструкции транзистора, в будущем можно достичь существенный скачок производительности на Вт по сравнению с FinFET-процессом.
Однако практическая реализация технологии GAAFET с доведением ее до уровня готовности для массового производства может столкнуться с серьезными задержками из-за своей новизны, считают эксперты. Поэтому выбор Samsung сопряжен с серьезными рисками. В начале этого года Samsung уже показал свой первый рабочий прототип, созданный на базе 3 нм GAAFET, однако до его готовности к массовому внедрению еще очень далеко.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор лучших видеокарт для игр. Выбрать лучшую видеокарту для игр непросто – для кого-то лучшей может быть самая доступная видеокарта, для других самая производительная. Мы стараемся учитывать все факторы и публикуем ежемесячно обновляемый материал, в котором стараемся рекомендовать действительно лучшую видеокарту для игр в любой ценовой категории – от дешевле $100 до топового сегмента. Подробнее об этом читайте в статье “Лучшая видеокарта для игр: текущий анализ рынка”.
