Micron Technology готова начать серийное производство новой 128-слойной памяти 3D NAND четвёртого поколения. В ней по-прежнему используется дизайн CUA (CMOS-under-array), а главной особенностью этой памяти стала новая технология Replacement Gate (RG), пришедшая на смену традиционной технологии плавающего затвора.
Серийное производство новой 128-слойной памяти 3D NAND четвёртого поколения должно начаться в 2020 году. Но в Micron предупреждают, что память будет использоваться в ограниченном числе продуктов и вряд ли получит такое распространение, как сегодняшние 96-слойные чипы.
При этом в Micron ожидают лишь минимального снижения стоимости NAND памяти в 2020 фискальном году. А более масштабное уменьшение цен произойдёт не раньше 2021 года, когда Micron предложит рынку второе поколение памяти с использованием технологии RG. И, похоже, что сейчас Micron больше заинтересована в дальнейшем развитии, делая ставку на память пятого поколения.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор Лучших SSD. Выбрать лучший SSD непросто - для кого-то лучшим может быть самый доступный SSD, для других - самый быстрый. Мы стараемся учитывать все факторы и публикуем постоянно обновляемый материал, в котором стараемся рекомендовать действительно лучший SSD в любой ценовой категории - от менее $100 до топового сегмента. Подробнее об этом читайте в статье "Лучший SSD: текущий анализ рынка".