Корейская Samsung начала серийное производство первого в отрасли встроенного модуля флеш-памяти Embedded Universal Flash Storage 2.1 (eUFS) ёмкостью 1 Тбайт, предназначенного для использования в мобильных устройствах следующего поколения.
Несмотря на прежние размеры (11,5 x 13 мм), модуль память eUFC 1Тбайт может похвастаться вдвое большим объёмом памяти по сравнению с предыдущей версией модуля. Это достигается за счёт комбинации 16-слойного чипа в продвинутой флеш-памяти с фирменным контроллером.
Но повышенная ёмкость – это не единственное достоинство новой памяти. И помимо этого она обеспечивает скорость работы до 1000 Мбайт/с – вдвое больше возможностей обычных SATA SSD в форм-факторе 2,5″. Скорость случайного чтения по сравнению с версией 512 Гбайт увеличилась на 38% и достигла 58 000 IOPS. Произвольная запись выполняется в 500 раз быстрее, чем позволяют высокопроизводительные карты microSD, и может достигать 50 000 IOPS. Это позволяет вести непрерывную съёмку со скоростью 960 к/с, что наверняка оценят пользователи флагманских устройств.
Грандиозная скидка на Samsung Galaxy A7 (2018)
Для удовлетворения ожидаемого высокого спроса на eUFS ёмкостью 1 Тбайт со стороны производителей мобильных устройств по всему миру, уже в первой половине 2019 года Samsung намерена расширить производство своих V-NAND пятого поколения ёмкостью 512 Гбайт на заводе в городе Пхёнтэк (Корея).
Ранее редакция THG.ru опубликовала статью о том, предварительный обзор Meizu Zero. Meizu Zero – первый в мире концептуальный смартфон без кнопок, разъёмов и вообще каких-либо отверстий. Одно только это привлекает внимание, ведь только для того, чтобы выпустить такой аппарат, пришлось использовать множество современных технологий, чтобы заменить те самые клавиши и порты. Подробнее об этом читайте в статье “Предварительный обзор Meizu Zero: без кнопок и без дырок”.
