WD начала опытное производство первых в мире 64-слойных 512-Гбит чипов памяти TLC NAND
07 февраля 2017, 09:19
Компания WD объявила о начале опытного производства первых в мире 64-слойных 512-Гбит чипов памяти TLC NAND на японском заводе в Йоккаичи (Yokkaichi), который является частью совместного предприятия WD с компанией Toshiba.
WD и Toshiba изо всех сил стараются увеличить объемы производства 48-слойной 128-Гбит памяти 3D NAND. И проблемы, с которыми столкнулись эти производители, называются в качестве одной из основных причин наблюдаемого дефицита NAND-памяти. Хотя аналогичные проблемы при производстве таких чипов памяти наблюдаются и у корейской Samsung.
В прошлом году WD объявила о переходе к 64-слойной 256-Гбит BiCS3 3D NAND памяти. Но она также оказалась в дефиците. А, учитывая то, что WD относит новые 512-Гбит чипы к BiCS3, в них используются такая же архитектура и процесс, что и в предыдущей версии.
Завод WD и Toshiba в Йоккаичи считается крупнейшим объектом по производству NAND чипов памяти. И аналитики прогнозируют, что дефицит NAND-памяти будет наблюдаться до тех пор, пока WD/Toshiba не наладят значительные объемы производства 3D NAND. А из пресс-релиза WD следует, что полномасштабное производство новых 64-слойных чипов памяти TLC NAND будет налажено во второй половине года. Ну а главной сферой применения чипов станут твердотельные накопители.
