В ходе конференции Flash Memory Summit 2013 компания Samsung представила свой первый твердотельный накопитель, построенный на базе трёхмерных чипов NAND-памяти с вертикальной архитектурой. Новинка с интерфейсом SATA III 6 Гбит/с предназначена для корпоративных систем хранения данных и предлагается в версиях объёмом 480/960 Гбайт.
В старшей модели используются 64 слоя ячеек памяти MLC 3D V-NAND ёмкостью по 128 Гбит каждый. По сравнению с предшественниками анонсированные SSD потребляют на 40% меньше энергии, кроме того, инженерам Samsung удалось увеличить скорость последовательной и произвольной записи информации на 20%. Заявленный ресурс работы 2,5″ накопителей с габаритами 100x70x7 мм составляет 35000 циклов перезаписи.
Цена и дата начала продаж новых SSD не сообщаются. По мнению руководства Samsung, память 3D V-NAND способна совершить настоящий прорыв в IT-индустрии. Добавим, что в первой половине 2014 года компания Toshiba планирует начать массовое производство чипов 3D NAND собственной разработки.
Ранее редакция THG опубликовала обзор твердотельных накопителей SSD Samsung 840 EVO. На мероприятии Global SSD Summit в Сеуле компания Samsung представила следующую после невероятно популярного SSD Samsung 840 модель твердотельного накопителя. Новинка обладает множеством новых функций и основана на 19-нанометровой NAND-памяти, способной хранить три бита в ячейке. Мы смогли протестировать накопитель во всех вариантах ёмкости и вынести свой вердикт. Подробнее об этом читайте в статье “Тест SSD Samsung 840 EVO ёмкостью 120, 250, 500 и 1000 Гбайт“.
Популярные материалы:
Обзор Hitachi Travelstar 7K1000: быстрый жёсткий диск для ноутбука ёмкостью 1 Тбайт
Лучший SSD: текущий анализ рынка
Обзор SanDisk Extreme II: ещё один SSD-тяжеловес
Samsung SSD 840 EVO/XS1715: SSD объёмом до 1,6 Тбайт
PNY Prevail 5K: новый сверхтонкий SSD-накопитель
|
следующая новость предыдущая новость |
||
|
