 |
11:22 [Ольга Шкляева]
IBM и Infineon разрабатывают MRAM
12 июня компании IBM и Infineon представили свою совместно разработанную технологию Magnetic Random Access Memory (MRAM), основанную на магнитных компонентах памяти. MRAМ имеет большой потенциал и по прогнозам уже к 2005 году начнет заменять некоторые современные технологии.
Компании продемонстрировали 128 Кбит MRAM ядро, произведенное по 0,18 мк процессу. Размер ячейки памяти MRAM составляет 1,4 квадратных микронов, что в 20 миллионов раз меньше, чем диаметр стандартного карандаша.
По существу, MRAM состоит из сетки микроскопических магнитов, а не классических транзисторных ячеек памяти; не теряет данные при отключении питания, в отличие от SDRAM, т.е. позволяет моментально загружать ПК; работает быстрее и потребляет меньше электроэнергии, чем флэш.
