Samsung UFS 4.0, тип памяти, о котором впервые было объявлено в мае этого года, поступит в массовое производство в этом месяце. Ожидается, что новый и более быстрый стандарт флэш-памяти будет использоваться во множестве продуктов, а также найдет место в линейке телефонов премиум-класса корейского гиганта в 2023 году.
UFS 4.0 от Samsung удваивает пропускную способность по сравнению с UFS 3.1, при этом потребляя меньше энергии. Во время Саммита по флэш-памяти 2022 Samsung представила некоторые обновления своих различных планов, включая запуск массового производства хранилища UFS 4.0. По словам производителя, этот новый, более эффективный стандарт микросхем флэш-памяти будет использоваться в различных продуктах.
Когда вы слышите термин «UFS», сразу же возникает мысль, что эта технология будет использоваться в будущих смартфонах. Хотя Samsung прямо не упомянула, какие продукты будут оснащены хранилищем UFS 4.0, более чем возможно, что мы увидим их в серии Galaxy S23, которая может быть запущена в следующем году. Если в Galaxy S23 нет собственного Exynos 2300 от Samsung, то, по крайней мере, их можно использовать с флэш-памятью нового поколения корейского гиганта.
С началом массового производства в этом месяце можно было бы предположить, что флэш-память UFS 4.0 будет найдена в грядущей линейке iPhone 14. К сожалению, Apple полагается на хранилище NVMe, поэтому маловероятно, что она будет использовать новейшую технологию хранения Samsung для своих iPhone. Напомним, UFS 4.0 использует память Samsung V-NAND Gen 7 и собственный контроллер и может достигать скорости последовательного чтения до 4200 Мбайт/с и скорости последовательной записи до 2800 Мбайт/с.
Кроме того, UFS 4.0 поддерживает скорость до 23,2 Гбит/с на каждую полосу, что вдвое больше, чем в стандарте UFS 3.1. Предположим, что увеличение производительности и пропускной способности памяти не было приоритетом. В этом случае вы должны знать, что последний стандарт обеспечивает 46-процентное повышение энергоэффективности при скорости последовательного чтения по сравнению с предыдущим поколением.
Новое хранилище UFS 4.0 может быть настроено для поддержки до 1 Тбайт хранилища, а это означает, что больше смартфонов премиум-класса будут поставляться с вариантами встроенной памяти большего объема.
Ранее редакция THG.ru опубликовала Лучшая оперативная память: текущий анализ рынка. Выбрать лучшую оперативную память непросто – для кого-то лучшей может быть самая доступная оперативная память, для других самая производительная. Мы стараемся учитывать все факторы и публикуем постоянно обновляемый материал, в котором стараемся рекомендовать действительно лучшую оперативную память в любой ценовой категории – от самой дешёвой до топового сегмента. Подробнее об этом читайте в статье “Лучшая оперативная память: текущий анализ рынка”.
