Samsung и IBM анонсировали новую вертикальную транзисторную архитектуру для полупроводниковых продуктов, получившую название Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET).
Новая конструкция способна обеспечить двукратный рост производительности либо снижение энергопотребления на 85% по сравнению с нынешним поколением транзисторов, использующих архитектуру FinFET.
До сих пор транзисторы с архитектурой FinFET выстраивались так, что они располагались на поверхности полупроводникового узла. Их затворы размещались на двух, трех или четырех сторонах канала или обертывались вокруг общего канала, образуя структуру с двумя или даже несколькими затворами. Эта архитектура широко применяется всеми ведущими производителями полупроводников.
В новых вертикальных полевых транзисторах VTFET транзисторы располагаются перпендикулярно поверхности, формируя вертикальные, направленные вверх-вниз, токи. Переход на новый дизайн способен поднять время автономном работы чипа смартфона до одной недели (7 дней) автономного использования.
Практическая реализация технологического процесса VTFET способна устранить многие препятствия, существующие на сегодняшний день и мешающие росту производительности. Использование VTFET позволяет упаковать еще больше транзисторов в фиксированном пространстве. Новая архитектура влияет на точки контакта транзисторов, обеспечивая бо́льший ток с меньшими энергопотерями.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор лучших процессоров для игр. Выбрать лучший процессор для игр непросто – для кого-то лучшим может быть самый доступный процессор, для других – самый производительный. Мы стараемся учитывать все факторы и публикуем регулярно обновляемый материал, в котором стараемся рекомендовать действительно лучший процессор для игр в любой ценовой категории – от $100 до топового сегмента. Подробнее об этом читайте в статье “Лучший процессор для игр: текущий анализ рынка”.
