Компания Samsung Electronics объявила о расширении своего портфеля модулей памяти DDR5, став первым в отрасли производителем модулей DDR5 объемом 512 Гбайт по технологии High-K Metal Gate (HKMG).
Технология HKMG (High-K/Metal Gate) выстроена на использовании диэлектриков с высоким значением диэлектрической постоянной и металлических затворов. Благодаря тому, что используемый материал обладает большей диэлектрической проницаемостью, чем диоксид кремния, новые образцы памяти демонстрируют значительный прирост производительности по сравнению с традиционными чипами, работающими при аналогичных рабочих напряжениях.
Заменив изолятор материалом HKMG, DDR5 от Samsung позволяет уменьшить утечку. Новая память будет потреблять примерно на 13% меньше энергии, что делает ее особенно подходящей для центров обработки данных, где энергоэффективность становится все более важной.
По оценкам, прирост производительности может доходить до 40% по сравнению с обычными образцами, выпущенными по тем же проектным нормам. По данным Samsung, выбор HKMG обеспечивает двукратный рост производительности по сравнению с DDR4 и может достигать 7200 Мбит/с.
Новая DDR5 предназначена для поддержки вычислений с высокой пропускной способностью в суперкомпьютерах, системах искусственного интеллекта (AI) и машинного обучения ( ML), а также для анализа данных.
Процесс HKMG впервые в отрасли был внедрен в памяти Samsung GDDR6 в 2018 году.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор лучшей материнской платы. Выбрать лучшую материнскую плату непросто – для кого-то лучшей может быть самая доступная материнская плата, для других – самая функциональная. Мы стараемся учитывать все факторы и публикуем регулярно обновляемый материал, в котором стараемся рекомендовать действительно лучшую материнскую плату любой функциональности, под любой процессорный разъём, в любой ценовой категории – от самых дешёвых до топового сегмента. Подробнее об этом в статье “Лучшая материнская плата: текущий анализ рынка”.
