KIOXIA America объявила о выпуске опытных образцов флеш-памяти объемом 1 Тбайт. Модели соответствуют требованиям спецификации универсального типа UFS Ver. 3.1, используемой для оснащения цифровых устройств - смартфонов, фотоаппаратов и других видов бытовой электроники.
Производитель отмечает, что отличительной особенностью новых образцов стали их малые размеры. Высота корпуса, внутри которых размещена память, равна 1,1 мм. Это делает их самыми тонкими изделиями из доступных образцов UFS емкостью 1 Тбайт. Физическая память изготовлена на базе микросхем KIOXIA BiCS FLASH 3D и обеспечивает скорость последовательного чтения до 2050 Мбайт/с и скорость последовательной записи до 1200 Мбайт/с.
Помимо флэш-памяти BiCS FLASH 3D внутри располагается контроллер. Он занимается исправлением ошибок, обеспечивает работу алгоритма выравнивания износа памяти, выполняет преобразования логических адресов в физические и управляет сбойными блоками. Это значительно упрощает практическое внедрение такой памяти в реальных изделиях.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор Samsung Galaxy S21+ 5G. В этом году в линейку Samsung Galaxy S21 вошли три смартфона - Galaxy S21, Galaxy S21+ и Galaxy S21 Ultra. И, если последний смартфон изначально стоит особняком, играя роль ультимативного флагмана корейского производителя, то Galaxy S21+ и Galaxy S21 - это близкие родственники. Стоит ли переплачивать за Samsung Galaxy S21+? Давайте посмотрим, что может предложить этот смартфон. Подробнее об этом читайте в статье "Обзор Samsung Galaxy S21+ 5G: для тех, кому нужно больше".