Компании TSMC, Samsung и ASML ведут разработки, направленные на развитие технологий производства чипов и дальнейшего перехода с нынешних 5 нм технологических норм на новый уровень 3 нм. TSMC уже перешла на массовый выпуск процессоров по 5 нм нормам. Samsung сообщила, что компания не собирается останавливаться на уровне 5-нм и планирует сразу переходить на 3 нм. Работы над проектированием технологической оснастки по новым нормам уже начались.
Основой для разработки новых норм служит технология литографии в жестком ультрафиолете (EUV). Метод литографии применяется для печати схем на тонких пластинах кремния. Например, разработанный TSMC технологический процесс позволяет печатать внутри интегральной схемы 11,8 млрд транзисторов при производстве заготовок под 5 нм чипы Apple A14 Bionic. Для сравнения, при производстве заготовок под чипы A13 Bionic производится печать 8,5 миллиардов транзисторов.
Метод EUV, разработанный TSMC для печати 5 нм узлов N5, предусматривает создание многослойной конструкции из 14 слоев. При переходе на печать 3-нм технологических узлов количество размещаемых транзисторов увеличивается. При сохранении их количества рост мощности составляет до 15%, а снижение энергопотребления до 30%.
Голландская литографическая компания ASML заявляет, что при 3-нм литографии можно использовать более 20 слоев. Как заявил Питер Веннинк (Peter Wennink), генеральный директор ASML: «В N5 по логике у нас более 10 уровней, в N3 их будет больше 20».
TSMC планирует использовать FinFET для разработки своей технологии 3-нм режима, прежде чем перейти на GAAFET (затвор со всех сторон) для 2-нм чипов. В отличие от FinFET, который не окружает канал со всех сторон, GAA окружает канал с помощью гейта. Достоинство метода GAAFET заключается прежде всего в том, что он позволяет практически устранить утечку тока, доведя ее до незначительного уровня. Это будет иметь важное значение для достижения высокой энергоэффективности будущих 3 нм микросхем.
В настоящее время отрасль находится на этапе начала раннего массового внедрения 5 нм микросхем. С выходом Apple iPhone 12, iPhone 12 Pro и iPad Air (2020) такие 5 нм чипсеты стали доступны потребителям по всему миру. Вторая волна внедрений была подхвачена компанией Huawei, которая объявила о выпуске своих флагманских смартфонов серии Mate 40 - там устанавливаются 5-нм чипсеты Kirin 9000 от Huawei.
Huawei собирается использовать свои 5-нм чипы не только для питания флагманского телефона, но и планирует устанавливать их в оборудование для базовых станций сети 5G и в складной телефон Mate X2. Сообщается, что в следующем году Samsung выпустит два 5-нм чипа Exynos, а Qualcomm присоединится к этому «клубу» со своим Snapdragon 875.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор смартфонов Vivo V20 и Vivo V20 SE. Ни для кого не секрет, что россияне всё чаще обращают внимание на недорогие смартфоны среднего уровня. Именно к таким устройствам относятся побывавшие в нашей тестовой лаборатории смартфоны Vivo V20 и Vivo V20 SE, которые сразу привлекли наше внимание удачным сочетанием доступной цены и целого ряда премиальных функций. Подробнее об этом читайте в статье "Обзор Vivo V20 и Vivo V20 SE: доступные смартфоны с премиальными функциями".