Начиная с 2021 года, тайваньская компания TSMC должна планово перейти на массовый выпуск полупроводниковых изделий с использованием технологических норм 3 нм. По данным компании, в настоящее время ведется оценка рисков в организации процесса перехода на новые стандарты, после чего начнется плановое переоснащение производственных линий. Завершение подготовительного периода и запуск линий в работу должен произойти во второй половине 2021 года.
Напомним, что TSMC уже «традиционно» уверенно шагает с одного техпроцесса на другой. Запуск массового производства на базе техпроцесса 7 нм состоялся два года назад. В этом году запущено массовое производство полупроводников на базе техпроцесса 5 нм. Значительная часть загрузки своих производственных мощностей по нормам 5-нм уже запланированы TSMC на выпуск продуктов для Huawei и Apple.
Но в TSMC не останавливаются и уже смотрят вперед. Недавно компания раскрыла технические индикаторы процесса 3 нм. По сравнению с 5-нм техпроцессом плотность транзисторов, которые будут выпускаться по новым 3 нм нормам, возрастет на 15%. Кроме того, увеличится их производительность на 10-15%, а также возрастет их энергоэффективность – по оценкам прирост составит 20-25%.
В предыдущих сводках сообщалось, что при переходе на 3 нм нормы TSMC собирается отказаться от использования прежнего процесса формирования транзисторов FinFET и переключиться на использование архитектуры формирования транзисторных конгломератов с объемным затвором GAA. Тем не менее, согласно другим данным, TSMC уже смогла добиться существенного успеха в разработке следующего 2-нм процесса с использованием транзисторной технологии GAA. Это может означать, что для ускорения и удешевления процесса перехода на 3-нм узел, а также снижения рисков, TSMC может сохранить традиционный процесс FinFET и для 3 нм.
Согласно сообщениям, будущие производственные мощности TSMC под нормы 3 нм планируется использовать, прежде всего, под выпуск чипов Apple A16 для iPhone и iPad – соответствующий график выпуска уже утвержден. Этот чип будет использовать 3-нм техпроцесс TSMC и будет доступен для дальнейшей сборки уже в начале 2022 года.
Если же говорить о нынешнем этапе освоения массового выпуска полупроводников по нормам 5 нм, то первым изделием на базе 5 нм стандарта в портфеле TSMC стал заказ для Qualcomm по выпуску чипов Snapdragon 875. Этот процессор уже находится на стадии массового производства. По слухам, новая SoC будет использовать перспективную схему деления ядер – «1+3+4». Базовым ядром будет служить ARM Cortex X1, которое обеспечивает 30% прирост производительности по сравнению с A77.
Конкурент TSMC, Samsung, также заявил, что собирается переходить на архитектуру GAA-FET, готов рискнуть и пропустить этап 4 нм, а сейчас ведет разработку на следующей ступеньке по нормам 3 нм, чтобы не отставать от TSMC. То, что TSMC сообщила о достигнутых успехах в разработке технологии 2-нм, является определенно нехорошими новостями для Samsung, которая только-только собирается побороться за восхождение на 3-нм высоту.
Ранее редакция THG.ru опубликовала статью о повышении продуктивности работы за ПК с Windows. В этой статье мы дадим несколько советов по оптимизации работы за компьютером, которые помогут сэкономить массу времени и наверняка заметно повысят вашу продуктивность в работе. Подробнее об этом читайте в статье “Повышаем продуктивность работы за ПК с Windows: просто о важном”.
