Компания Micron объявила об очередном достижении в области миниатюризации, начав серийное производство 16-Гбит памяти DDR4 с использованием технологии 1z нм.
Тут следует пояснить, что технология 1X предполагает техпроцесс между 19 и 17 нм, 1Y - между 16 и 14 нм, а описываемый в пресс-релизе Micron процесс 1Z означает использование 13-10 нм технологий.
В Micron отмечают, что новый 1z нм продукт обеспечивает существенно более высокую плотность при значительно выросшей производительности и меньшей стоимости по сравнению с предыдущим поколением кристаллов, использующих технологии 1Y нм. Новая память будет использоваться в самых разных сферах, включая искусственный интеллект, автономные автомобили, 5G, мобильные устройства, графику, игры, сетевую инфраструктуру и серверы.
Одновременно с этим Micron объявила о начале поставок 16-Гбит чипов памяти LPDDR4X в упаковке uMCP4. Эта память ориентирована на использование в мобильных устройствах, отличаясь низким энергопотреблением и небольшими размерами. А её использование позволит производителям создавать смартфоны, оснащённые до 16 Гбайт высокоскоростной ОЗУ.
1z нм память LPDDR4X от Micron имеет самое низкое энергопотребление в отрасли с одновременным сохранением самой быстрой скорости LPDDR4 до 4266 Мбит/с. Она потребляет на 10% меньше энергии по сравнению с предыдущим поколением памяти для таких ресурсоёмких задач, как воспроизведение 4K-видео.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор лучшей оперативной памяти. Выбрать лучшую оперативную память непросто - для кого-то лучшей может быть самая доступная оперативная память, для других самая производительная. Мы стараемся учитывать все факторы и публикуем постоянно обновляемый материал, в котором стараемся рекомендовать действительно лучшую оперативную память в любой ценовой категории - от самой дешёвой до топового сегмента. Подробнее об этом читайте в статье Лучшая оперативная память: текущий анализ рынка".