Компьютер Acer Veriton ES2730G c отличной скидкой
Компания SK Hynix объявила о разработке новой DRAM памяти HBM2E с самой высокой в отрасли пропускной способностью. Она имеет на 50% большую пропускную способность, чем память HBM2, и вдвое превосходит её по ёмкости.
Новая буферная память может похвастаться пропускной способностью в 3,6 Гбит/с на контакт, обеспечивая общую пропускную способность в 460 Гбайт/с. А использование технологии TSV (Through Silicon Via) позволило объединить в одном чипе памяти до восьми 16-Гбит слоёв, добившись максимальной ёмкости в 16 Гбайт.
HBM2E память от SK Hynix называется оптимальным решением для производительных видеокарт, суперкомпьютеров, систем искусственного интеллекта и машинного обучения, т.е. всех сегментов рынка, максимально чувствительных к производительности памяти.
Потрясающая скидка на смартфон Black Shark
Серийное производство чипов HBM2E начнётся в следующем году.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор Intel Optane SSD 905P 1.5TB. Протестированный нами Intel Optane SSD 905P 1.5TB обойдётся покупателю недёшево. Зато он обеспечит выдающуюся скорость работы, а в отношении плотности операций обращения к данным (IOPS) серьёзно опередит другие доступные на рынке SSD потребительского класса. Подробнее об этом читайте в статье “Intel Optane SSD 905P 1.5TB: обзор и тест полуторатерабайтного SSD”.
