Корейская Samsung Electronics объявила о начале серийного производства своей первой коммерческой встраиваемой магниторезистивной памяти с произвольным доступом (eMRAM) на подложке FD-SOI с использованием 28-нм техпроцесса (28FDS).
Как утверждают в Samsung, новые чипы памяти eMRAM предлагают беспрецедентные преимущества в энергопотреблении и скорости работы по более низкой цене. Такая память не требует проведения цикла стирания перед записью данных, благодаря чему скорость её записи примерно в тысячу раз больше, чем у обычной eFlash. При этом eMRAM использует более низкое, чем eFlash, напряжение и не потребляет энергию в режиме простоя, что обеспечивает её лучшую энергоэффективность.
Процессор Intel Core i5 8400 с большой скидкой
Ещё одним преимуществом eMRAM стала простота интеграции такой памяти, для чего производителям достаточно добавить в проект всего несколько дополнительных слоёв. А сама память называется одним из наиболее перспективных преемников eFlash и может использоваться в самых разных сферах, включая микроконтроллеры, Интернет вещей (IoT) и искусственный интеллект.
“Мы очень гордимся этим достижением, предлагая технологии встраиваемой энергонезависимой памяти (eNVM) после преодоления серьёзных проблем, связанных с новыми материалами”, – говорит вице-президент SamsungРайан Ли (Ryan Lee), отмечая, что новая память обеспечивает явные конкурентные преимущества и отличную технологичность для удовлетворения потребностей клиентов и рынка в целом.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор лучших SSD. Выбрать лучший SSD непросто – для кого-то лучшим может быть самый доступный SSD, для других – самый быстрый. Мы стараемся учитывать все факторы и публикуем постоянно обновляемый материал, в котором стараемся рекомендовать действительно лучший SSD в любой ценовой категории – от менее $100 до топового сегмента. Подробнее об этом читайте в статье “Лучший SSD: текущий анализ рынка”.
