Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства первых в отрасли чипов памяти eUFS 3.0 ёмкостью 512 Гбайт. Новые чипы памяти ориентированы на использование в “следующем поколении мобильных устройств” и обеспечивают вдвое большую скорость работы по сравнению с памятью eUFS 2.1.
Разработанные Samsung чипы памяти eUFS 3.0 объёмом 512 Гбайт состоят из восьми слоёв 512-Гбит памяти V-NAND пятого поколения, работающей в связке с высокопроизводительным контроллером. Они обеспечивают скорость последовательного чтения/записи до 2100 / 410 Мбайт/с и могут похвастаться высокой производительностью при произвольном чтении/записи, которая может достигать 63К/68К IOPS.
Грандиозная скидка на гарнитуру Honor Sport AM61
Скорость чтения памяти eUFS 3.0 в четыре раза превышает возможности твердотельных накопителей с интерфейсом SATA и в двадцать раз быстрее скорости работы обычной карты памяти microSD. А его скорость записи сопоставима с SATA SSD. Что касается показателя IOPS при произвольном чтении/записи, то он на 36% быстрее, чем у сегодняшней памяти eUFS 2.1 и в 630 раз превосходит производительность карт памяти.
Кроме того, во второй половине этого года Samsung планирует выпустить новые чипы памяти eUFS 3.0 ёмкостью 256 Гбайт и 1 Тбайт.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор лучших SSD. Выбрать лучший SSD непросто – для кого-то лучшим может быть самый доступный SSD, для других – самый быстрый. Мы стараемся учитывать все факторы и публикуем постоянно обновляемый материал, в котором стараемся рекомендовать действительно лучший SSD в любой ценовой категории – от менее $100 до топового сегмента. Подробнее об этом читайте в статье “Лучший SSD: текущий анализ рынка”.
