Смартфон Motorola G5S с грандиозной скидкой
На мероприятии 4G/5G Summit в Гонконге Samsung заявила, что планирует выпускать стандарт памяти UFS 3.0 уже в следующем году.
UFS 3.0 будет доступна в трех вариантах: 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ. Кроме того, компания Micron отметила, что первые смартфоны с объемом флэш-памяти в 1 ТБ появятся в 2021 году. Известно, что Smartisan R1 обладает объемом памяти 1ТБ, притом, что в устройстве используется два модуля по 512 ГБ.
Достижения в производстве 3D NAND позволят производителям памяти увеличить плотность хранения памяти. По заявлениям Samsung, UFS 3.0 будет отличаться вдвое большей скоростью передачи данных. На данный момент стандартом флэш-памяти в мобильном производстве является UFS 2.1.
Кроме того, Samsung и Micron также планируют выпустить память LPDDR5, но уже в 2020 году. Samsung отмечает, что массовое производство начнется в 2020 году, и LPDDR5 обеспечит гораздо более высокую пропускную способность до 51,2 ГБ/с при одновременном снижении энергопотребления на 20%.
Развитие 5G-сетей потребует более быстрый стандарт хранения данных, которым и станет UFS 3.0. Такие компании, как Qualcomm, Samsung и Huawei уже работают над собственным решением, касательно внедрения 5G.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор SSD-накопителей Plextor M9Pe 256 Гбайт и 1 Тбайт. Помимо традиционных тестов в нашем сегодняшнем соревновании мы сравним показатели SSD-накопителей ёмкостью 256 Гбайт и 1 Тбайт в одной из самых популярных на сегодня онлайновых многопользовательских игр World of Tanks. Подробнее об этом читайте в статье “Обзор и тест SSD-накопителей Plextor M9PeG 256 Гбайт и M9PeGN 1 Тбайт“.
