Приятные подарки покупателям флагманского Samsung Galaxy S8!
Корейская Samsung объявила о выходе первого продукта серии Z-SSD – накопителя SZ985 на памяти Samsung Z-NAND. А последняя, как известно, представляет собой более производительный вариант 3D NAND и позиционируется Samsung в качестве прямого конкурента Intel 3D XPoint.
Samsung уже давно говорит о памяти Z-NAND и основанных на ней твердотельных накопителях SZ985, а первоначальная презентация этого NVMe SSD произошла ещё в 2016 году. При этом корейцы рассчитывали, что уже в 2016 году на рынке появятся первые подобные накопители ёмкостью 1 Тбайт, а в 2017 году свет увидят SSD объёмом 2 и 4 Тбайт.
Но компания сильно отстаёт от графика, и сегодня Samsung выпустила лишь SSD ёмкостью 240 и 800 Гбайт. В Samsung не сказали ничего нового о работе Z-SSD и лишь отметили, что в SSD используется 1,5 Гбайт памяти LPDDR4. Новые SSD заметно превосходят Intel Optane SSD DC P4800X в плане производительности при чтении с произвольным доступом блоками по 4 Кбайт: 550000 IOPS у Intel и 750000 IOPS у Samsung.
Минус в том, что производительность Samsung SZ985 при записи намного менее впечатляющая – 170000 IOPS. Другими словами, она сразу на 77% ниже, чем аналогичный показатель при чтении против всего лишь 9% снижения производительности при чтении/записи у Intel P4800X.
Samsung планирует показать новые накопители с памятью Z-SSD объёмом 800 и 240 Гбайт на ISSCC 2018, которая пройдёт с 11 по 15 февраля в Сан-Франциско.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор и тест Intel SSD 760p. Это лучшее предложение на рынке SSD для универсальных ПК по соотношению цены и производительности. Скорость работы и ёмкость выросли как минимум вдвое по сравнению с накопителем 600p предыдущего поколения, а энергопотребление заметно снизилось. Наконец, цена в $199 за 512-гигабайтную модель делает этот SSD отличной покупкой. Подробнее об этом читайте в статье “Intel SSD 760p: обзор и тест нового лидера бюджетных NVMe SSD”.
