Как известно, следующий флагманский чипсет Qualcomm будет представлен уже в декабре и получит название Snapdragon 845. И недавно информаторы рассказали о возможностях новой SoC, которая будет лежать в основе большинства флагманских смартфонов следующего года.
Первые слухи предполагали, что эта SoC окажется построена на 7-нм техпроцессе. Но, по недавно появившимся в сети утечкам, платформа будет использовать более привычный 10-нм технологический процесс. Причем, что самое странное, Snapdragon 845 получит первое поколение 10-нм техпроцесса LPE, а не более совершенный LPP, который задействован при выпуске Samsung Exynos 9810.
Информаторы уточняют, что Snapdragon 845 останется 8-ядерной SoC. В ее состав войдут четыре ядра Cortex-A75 и четыре Cortex-A53, а графическая подсистема чипсета будет представлена ускорителем Adreno 630. При этом платформа получит поддержку сдвоенных тыльных и фронтальных камер с разрешением до 25 Мп. Она будет оснащаться модемом X20 и сможет поддерживать стандарт Wi-Fi 802.11 ad, а скорость работы SoC в беспроводных сетях достигнет 1,2 Гбит/с.
Первыми смартфонами на основе Snapdragon 845 станут флагманские Samsung Galaxy S9 и Galaxy S9+, анонс которых ожидается в январе 2018 года. А помимо этого SoC будет использоваться в большинстве флагманов следующего года, включая новый Xiaomi Mi 7.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор и тест процессора Intel Core i3-8350K. Core i3-8350K обеспечивает высокую игровую производительность и конкурентоспособную скорость в самых разных приложениях. Разблокированный множитель позволяет достичь высоких тактовых частот, но для разгона вам потребуется дорогая плата на чипсете серии Z. Подробнее об этом читайте в статье “Intel Core i3-8350K: обзор и тест четырёхъядерного процессора”.
