Компания Toshiba анонсировала первую в мире 3D BiCS FLASH память, использующую технологию Through Silicon Via (TSV) с тремя битами на ячейку. Поставки прототипов новой памяти начались еще в июне, а первые образцы продукции будут готовы во второй половине 2017 года.
Устройства, изготовленные с использованием технологии TSV, оснащаются вертикальными электродами и небольшими отверстиями на каждом слое, через которые происходит передача данных. Подобное решение обеспечивает высокоскоростную передачу данных при одновременном снижении энергопотребления, а его эффективность уже была доказана в представленной ранее 2D NAND флеш-памяти от Toshiba.
Through Silicon Via в сочетании с технологией 48-слойной 3D флеш-памяти позволила Toshiba заметно увеличить пропускную способность памяти с сохранением ее низкого энергопотребления. А энергоэффективность одного такого пакета примерно вдвое лучше, чем у обычной BiCS FLASH памяти. При этом TSV BiCS FLASH обеспечивает возможность создания накопителя емкостью 1 Тбайт с 16 кристаллами в одном корпусе.
Компания Toshiba Memory Corporation планирует коммерциализировать BiCS FLASH с технологией TSV для создания, в том числе, высокопроизводительных твердотельных накопителей корпоративного уровня.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор и тестирование SSD-накопителя Plextor S2C. По сравнение с накопителями начального уровня, серии M новая серия Plextor S2 стала лучше, но ей не хватает какой-то изюминки, чтобы выделиться на фоне многочисленных и однотипных конкурентов. Подробнее об этом читайте в статье “Обзор и тестирование SSD-накопителя Plextor S2C“.
