РЕКЛАМА
ИНФОРМАЦИЯ
Rambler's Top100 Рейтинг@Mail.ru

НОВОСТИ

RSS

Samsung начала массовое производство 64-слойной 256-Гбит 3D TLC NAND памяти

15 июня 2017, 12:56


Компания Samsung начала массовое производство 64-слойной 256-Гбит 3D TLC NAND памяти, четвертого поколения V-NAND.

64-слойная 256-Гбит 3D TLC NAND память Samsung


Новая память обеспечивает самую высокую в сегменте скорость передачи данных в 1 Гбит/с. При этом она отличается рекордным среди NAND памяти временем tPROG на уровне 500 мкс, которое в четыре раза меньше типичной 10-нм NAND памяти и в 1,5 раза лучше, чем у самой быстрой 48-слойной 256-Гбит памяти V-NAND от Samsung. И в компании рассчитывают, что благодаря широкому ассортименту V-NAND продуктов промышленность начнет уделять больше внимания высокой производительности и надежности.

64-слойная 256-Гбит 3D TLC NAND память Samsung


Новая память обеспечивает более чем 30% прирост производительности по сравнению с предыдущей 48-слойной 256-Гбит памятью V-NAND и имеет на 30% большую энергоэффективность. А ее надежность, как уверяют в компании, увеличилась примерно на 20%.

В Samsung рассчитывают, что еще до конца года объемы производства 64-слойной 256-Гбит 3D TLC NAND памяти вырастут на 50%.



Ранее редакция THG.ru опубликовала статью о расширении возможностей Intel Optane. Наш массив на базе Optane получился очень быстрым. Сложно описать словами разницу между ним и NVMе SSD, когда на таком RAID установлена операционная система. Но RAID -- конфигурация не для всех, и вы должны понимать, что вы делаете, перед тем, как приступать. Подробнее об этом читайте в статье "Расширяем возможности Intel Optane: тестирование производительности в RAID-массиве".

Читайте также:

  • Intel анонсировала твердотельные накопители DC P4501 на памяти 3D TLC NAND
  • Seagate Game Drive for Xbox Game Pass Special Edition: новый внешний накопитель для Xbox
  • Seagate Enterprise Performance 10K объемом 2,4 Тбайт: новый HDD с высокой производительностью
  • Computex 2017. Toshiba анонсировала NVMe-накопители XG 5 на 64-слойной памяти 3D TLC NAND
  • ADATA выпустит SSD SX9000 с контроллером Marvell 88S1093
  • следующая новость
    Xiaomi Mi Note 3 может получить чипсет Snapdragon 836

    предыдущая новость
    Samsung Galaxy Note 8 получит до 8 Гбайт ОЗУ, Galaxy Note 9 - 12 Гбайт

     
    Новости

    Комментарии? Поправки? Дополнения? Ваши новости? news@thg.ru




    Свежие статьи
    RSS
    Лучшая материнская плата: текущий анализ рынка Лучший бюджетный процессор: текущий анализ рынка Главные новости за неделю Лучшая оперативная память: текущий анализ рынка Обзор CINEMOOD ДиаКубик: умный проектор для детей
    Лучшая материнская плата Лучший бюджетный процессор Главные новости за неделю Лучшая оперативная память Обзор CINEMOOD ДиаКубик
    РЕКЛАМА
    РЕКОМЕНДУЕМ ПРОЧЕСТЬ!
    ПОСЛЕДНИЕ НОВОСТИ
    ССЫЛКИ