Несколько дней назад Qualcomm анонсировала новую флагманскую однокристальную систему Snapdragon 835. Но во время ее презентации чипмейкер сосредоточился не столько на самой платформе, сколько на поддерживаемой ей технологии быстрой зарядки Quick Charge 4.0. И большинство характеристик Snapdragon 835 фактически остались за кадром.
Но, судя по последней утечке, Snapdragon 835 (MSM 8998) будет серьезно отличаться от предшественников и получит обновленные ядра Kyro 200 в конфигурации 4+4. Т.е. новая SoC будет оснащаться не 4-, а 8-ядерным процессором. А графическая подсистема чипсета окажется представлена новым производительным ускорителем Adreno 540.
Snapdragon 835 получит поддержку 4-канальной оперативной памяти LPDDR4X-1866 и флеш-памяти UFS 2.1. Он будет оснащен модемом LTE X16 с поддержкой сетей LTE Cat.16 со скоростью загрузки до 1 Гбит/с. Чипсет построен на 10-нм техпроцессе FinFet. Он дебютирует в первом квартале 2017 года, а первым смартфоном на его основе станет Samsung Galaxy S8, анонс которого пройдет на MWC 2017.
Помимо Snapdragon 835 информаторы смогли узнать характеристики и менее производительной платформы Qualcomm Snapdragon 660, которая выполнена на 14-нм техпроцессе FinFet LPP и оснащается 8-ядерным процессором с максимальной частотой 2,2 ГГц.
В этой SoC используются графический ускоритель Adreno 512 и модем X10. Она поддерживает 2-канальную ОЗУ LPDDR4X-1866 и флеш-память UFS 2.1. А производство платформы начнется во втором квартале 2017 года.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор Intel Kaby Lake. Первые процессоры на базе архитектуры Intel Core седьмого поколения, известные под кодовым название Kaby Lake, представляют собой результат оптимизации микроархитектуры Skylake, и ориентированы на пользователей, не обновлявших свои системы в течение пяти лет. Подробнее об этом читайте в статье “Intel Kaby Lake: 14 нм+, повышенные частоты, новое графическое ядро”.
