Компания Samsung Electronics объявила о выпуске первых в индустрии 256-Гб одночиповых твердотельных накопителей для мобильных устройств на базе универсального флеш-стандарта UFS (Universal Flash Storage) версии 2.0. Поддержка нового стандарта системами хранения данных мобильных устройств обеспечивает более высокую производительность, нежели SATA-стандарт SSD для ПК.
Новые UFS-накопители Samsung выполнены на базе многоуровневой (MLC) флеш-памяти так называемого 3D V-NAND типа и оснащены скоростным UFS-контроллером, благодаря чему скорость выборочного чтения и записи достигает 45000 и 40000 IOPS (операций в секунду), соответственно. Это более чем в два раза больше, чем типичные 19000 и 14000 IOPS у предыдущего поколения UFS-памяти.
В режиме последовательного чтения новые 256-Гб UFS-накопители Samsung обеспечивают 2-канальную передачу данных с суммарной скоростью до 850 Мб/с, в режиме последовательной записи скорость достигает 260 Мб/с. Этого достаточно для бесперебойного воспроизведения видео в формате 4K / Ultra HD в режиме многозадачного обмена данными между мобильными устройствами и внешними большими дисплеями и телевизорами.
Ёмкости 256-Гб UFS-накопителя достаточно для хранения примерно 47 фильмов в формате Full HD. Владельцы мобильных устройств, оснащённых скоростным интерфейсом USB 3.0, смогут пересылать 5-Гб файл с Full HD фильмом с нового накопителя всего за 12 секунд. При этом, новые накопители UFS-накопители Samsung по габаритам даже меньше, чем традиционные флеш-карты стандарта micro SD.
Интересно отметить, что в представленных на днях флагманских смартфонах Samsung Galaxy S7 и S7 Edge новые 256 Гб UFS-накопители пока не используются. Впрочем, на сегодняшний день замену флеш-памяти стандарта eMMC на UFS, равно как и оперативной памяти LPDDR3 на LPDDR4, можно назвать чётко установившейся тенденцией.
Ранее редакция THG.ru опубликовала третью часть обзора смартфонов Apple iPhone 6s и 6s Plus. Мы провели подробные тесты производительности ЦП и нового GPU смартфонов и их сравнение с несколькими ближайшими конкурентами, которые оказались разбиты в пух и прах. Подробнее об этом читайте в статье “Обзор Apple iPhone 6s и 6s Plus: часть 3. Тестирование производительности”.
Популярные статьи:
Samsung Gear S2 classic 3G: первый гаджет с поддержкой eSIM
Samsung Exynos 7 Octa 7870: первый чипсет среднего уровня на 14-нм техпроцессе
Samsung Galaxy S7 и Galaxy S7 Edge: новые тизеры смартфонов
Samsung рассекретила дизайн и некоторые особенности Galaxy S7 и Galaxy S7 Edge (видео)
Пресс-снимки нового недорогого планшета Samsung
следующая новость предыдущая новость |
||
|