Samsung готовится к массовому производству 18-нм чипов DRAM-памяти
22 декабря 2015, 12:46
В прошлом квартале Samsung Electronics еще больше увеличила свое огромное преимущество перед конкурентами на рынке динамической памяти с произвольным доступом, поставив 45,9% всех чипов DRAM-памяти.
И сегодня южнокорейские информаторы сообщили о планах Samsung по началу массового производства чипов DRAM-памяти, основанных на 18-нм техпроцессе, во втором квартале следующего года. А в период между 2016 и 2020 годами корейский производитель собирается осуществить плавный переход с 15-нм до 10-нм техпроцессов.
Предыдущий отчет DRAMeXchange также указывал на то, что в 2016 году Samsung будет готова к массовому производству 18-нм чипов DRAM-памяти. Что касается основного конкурента Samsung, компании SK Hynix, которая по итогам третьего квартала занимает 27,6% рынка, то она начнет тестовый выпуск 18-нм DRAM-памяти в конце года.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор SSD Plextor M6V. Если вы ищете недорогой SSD, не обязательно соглашаться на модели с памятью TLC. Plextor нашла другой способ снизить цену накопителя с MLC-памятью, имеющей по два бита на ячейку, начав использовать модули, выполненные по более тонкому техпроцессу. Подробнее об этом читайте в статье "Обзор SSD Plextor M6V".
Читайте также:
Утечка: Samsung займется производством процессоров для AMD