Еще в ноябре прошлого года стало известно, что флагманский смартфон Samsung Galaxy S6 будет оснащаться NAND-памятью стандарта UFS 2.0, а сегодня южнокорейский гигант сообщил о начале массового производства первых в отрасли микросхем нового типа емкостью до 128 Гбайт.
Главным преимуществом накопителей UFS 2.0 по сравнению с традиционно используемыми сейчас производителями мобильных устройств чипами eMMC является в несколько раз большая скорость работы при аналогичных энергопотреблении и стоимости. К примеру, количество случайных операций ввода-вывода в секунду у UFS 2.0 может достигать 19 000 IOPS, что в 2,7 раза выше, чем у eMMC 5.0, а по скорости последовательного чтения и записи новая технология сопоставима с современными SSD-накопителями, хотя расходует на 50% энергии меньше.
Будучи установленной в смартфоны, память UFS 2.0 обеспечит им возможность более плавного воспроизведения видео сверхвысокого разрешения, расширит их многозадачность и увеличит время автономной работы. На текущий момент Samsung готова поставлять микросхемы емкостью 128, 64 и 32 Гбайт, что ровно в два раза больше, чем у выпускающихся ею чипов eMMC.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор SSD Samsung 845DC EVO. С выпуском модели 845DC EVO компания Samsung подтверждает стремление производить ориентированные на энтузиастов успешные SSD-накопители, а также внедрять их в системы корпоративного класса. В ходе сегодняшнего теста мы собираемся выявить преимущества нового продукта Samsung. Подробнее об этом читайте в статье “Обзор SSD Samsung 845DC EVO: трёхбитная MLC-память в накопителе корпоративного класса”.
