Во второй половине этого года SK Hynix планирует представить новые версии чипов DDR4 DRAM, работающие на более высоких частотах по сравнению с доступными сегодня моделями.
В документах, попавших в руки KitGuru, значится, что компания собирается начать во втором квартале 2015 года поставки образцов микросхем, работающих на частоте 2666 МГц. Заявленные тайминги у этих чипов – CL17-17-17, плотность составит 4 Гбит. Организация – 512Mx8 или 256Mx16, а рабочее напряжение равняется 1,2 В. Новые чипы памяти DDR4 DRAM будут заключены в 78-ball FBGA и 96-ball FBGA корпуса.
Пока что неизвестно, когда SK Hynix начнет массовое производство микросхем DDR4 DRAM с эффективной частотой 2666 МГц. Вероятно, это произойдет в третьем квартале года. Сама SK Hynix эту информацию не стала комментировать.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор пяти наборов памяти DDR3 объёмом 32 Гбайт. Восемь гигабайт на DIMM для “топовых” сборных ПК – уже привычная картина, даже несмотря на то, что модули меньшей плотности обеспечивают более высокую скорость передачи данных и более низкие задержки. Мы протестировали пять наборов на 32 Гбайт, и попытались вытянуть из них максимум производительности. Подробнее об этом читайте в статье “Память DDR3 объёмом 32 Гбайт: обзор и тест пяти разгоняемых наборов”.
