Компания Samsung начинает производство трёхмерных чипов NAND-памяти с вертикальной архитектурой и увеличенной производительностью, которые можно будет использовать в различных видах потребительской электроники и корпоративных приложениях.
Плотность записи составляет 128 Гбит. Чипы имеют специальную структуру вертикальных ячеек с применением технологий 3D Charge Trap Flash (CTF) и вертикальных связей для увеличения масштабируемости в два раза по сравнению с двумерными чипами памяти NAND 20-нм класса. Электрический заряд при использовании CTF временно хранится в ячейке из непроводящего слоя нитрида кремния (SiN) вместо использования плавающего затвора для предотвращения интерференции между соседними ячейками. Главная характеристика новых чипов – увеличение уровня надёжности в 2-10 раз и скорости записи – в 2 раза.
Отдельного упоминания заслуживает технология вертикальных связей V-NAND, связывающая до 24 слоев ячеек с использованием специальной технологии травления и скрепляющая слои электронным путем пробивки отверстий с самого высокого слоя до дна. Это позволит производить флеш-память на чипе NAND с более высокой плотностью.
Ранее редакторы THG.ru постарались учесть все факторы и опубликовали ежемесячно обновляемый материал, в котором рекомендовали действительно лучший твердотельный накопитель в любой ценовой категории – от дешевле $100 до топового сегмента. Подробнее об этом читайте в статье “Лучший SSD: текущий анализ рынка”. Заодно вы найдёте здесь ссылки на самые актуальные развёрнутые обзоры, если захотите уточнить что-нибудь.
Популярные материалы:
Virtium DecaStor 18/25: надёжные SSD с интерфейсом SATA III
Kingston: анонс эксклюзивных продуктов под брендом Na’Vi
PNY Prevail 5K: новый сверхтонкий SSD-накопитель
Новые SSD от Seagate для разных сфер применения
Тест Intel SSD 525 mSATA ёмкостью от 30 до 240 Гбайт
|
следующая новость предыдущая новость |
||
|
