STT-MRAM: новый тип памяти - от Micron и A*Star Data Storage Institute
28 октября 2011, 20:33
Компания Micron Technology и сингапурский институт A*STAR Data Storage Institute (DSI) объявили о договорённости совместной работы над технологией альтернативного типа энергонезависимой памяти для накопителей следующего поколения - STT-MRAM или оперативной памяти, построенной на передаче магнитного момента спина.
Текущее поколение твердотельных дисков использует другой тип энергонезависимой памяти - NAND Flash, что позволяет на протяжение длительного времени хранить в памяти накопителя данные без необходимости в энергии, при этом SSD, в отличие от жёстких дисков, менее подвержены физическому износу от ударов и вибраций. Однако при масштабировании и использовании больших массивов такой памяти приводит к падению надежности и повышению энергии, необходимой для записи данных.
В то же время в отрасли проводятся разработки альтернативных типов энергонезависимой памяти, таких как, например, STT-MRAM, которая имеет большой потенциал и при этом может конкурировать с энергозависимой памятью, такой, как, например, Dynamic RAM (DRAM). Благодаря своим свойствам такая память может предоставить преимущество в производительности также и в приложениях для энергозависимой памяти.
В рамках сотрудничества Micron и DSI будут инвестировать совместные разработки устройств STT-RAM высокой плотности в течение следующих трёх лет.