Компания Samsung Electronics объявила о разработке модуля регистровой памяти RDIMM с рабочим напряжением 1,25 В для корпоративных серверов со сверхнизким энергопотреблением. Новые модули памяти Samsung DDR3 на базе четырех микросхем, созданных по технологии 30-нанометрового класса, являются более дружественным для экологии решением, чем традиционные 1,5-вольтовые модули, а также прежние лидеры по энергоэффективности – 1,35-вольтовые. При этом новинки обладают более высокой производительностью.
Модуль памяти RDIMM емкостью 16 Гбайт с рабочим напряжением 1,25 В потребляет всего 3,7 Вт электроэнергии в час, поддерживая при этом скорость передачи данных 1333 Мбит/с. Энергопотребление этого модуля на 15% меньше в сравнении с RDIMM 16 Гбайт с рабочем напряжением 1,35 В на базе микросхем DDR3 емкостью 4 Гбайт, производимыми по технологическим нормам 30-нанометрового класса (ранее этот модуль имел рекордно низкое энергопотребление при аналогичной емкости). Кроме того, он потребляет на 60 % меньше, чем модуль RDIMM 16 Гбайт с рабочим напряжением 1,35 В на микросхемах DDR3 2 Гбит, выполненных по технологическому процессу 40-нанометрового класса.
Samsung планирует начать массовое производство новых модулей в версиях емкостью 8 и 16 Гбайт после испытаний у ОЕМ-производителей. Ожидается, что начиная со следующего года 1,25-вольтовые модули RDIMM будут пользоваться повышенным спросом в центрах обработки данных и корпоративных серверных системах, где задача сокращения затрат на энергию и повышения эффективности деятельности наиболее актуальна.
Ранее редакция THG.ru отметила, что, так как интегрированные GPU обычно используют общую системную память, то её производительность существенно влияет на частоту кадров в играх – об этом, в частности, рассказывалось в обзоре AMD A8-3850. Редакция THG.ru, с тем, чтобы помочь в выборе ОЗУ для современных систем, провела тестирование семи топовых комплектов DDR3 по 8 Гбайт, которые должны показать отличную совместимость с APU от AMD на базе Llano. В ходе многочисленных тестов ADATA XPG DDR3-1600 CAS 8, Corsair Vengeance DDR3-1600 CAS 8, G.Skill Ripjaws X DDR3-1600 CAS 8, Geil EvoCorsa DDR3-1866 CAS 9, Kingston HyperX Genesis DDR3-1600 CAS 9, Mushkin Redline DDR3-1600 CAS 7 и PNY XLR8 DDR3-1600 CAS 9 интересным оказалось то, что, хотя набор Mushkin победил в состязании разгона, шесть остальных наборов финишировали настолько близко друг к другу, что нам стало интересно, какая часть из нынешних результатов связана просто с удачей, а какая с точностью настроек памяти. Об этом и многом другом в статье «Тест семи комплектов DDR3 по 8 Гбайт для чипсета AMD A75».
Популярные статьи:
Обзор восьми наборов памяти на 8 Гбайт (2х4 Гбайт) для P67 Express Выбираем память DDR3 с высокой плотностью : тест пяти двухканальных наборов на 8 Гбайт Выбираем недорогую память DDR3 для Core i5/i7 : тест шести двухканальных наборов на 4 Гбайт Подбираем память для процессоров Core i5 и i7 под LGA 1156 : зависимость производительности от частоты и задержек Выбираем недорогую память DDR3 для Core i7 : тест шести трёхканальных наборов на 6 Гбайт
|
следующая новость предыдущая новость |
||
|
