IDF 2009: первый день форума Intel для разработчиков - доклад Боба Бейкера

25 сентября 2009, 21:22

22 сентября 2009 года,в первый день работы Форума Intel для разработчиков (IDF 2009 – Intel Developer Forum 2009), Боб Бейкер (Bob Baker), старший вице-президент Intel и генеральный директор Technology and Manufacturing Group (TMG) выступил с докладом «Лидерство Intel в производстве полупроводников обеспечивают инновации». Боб Бейкер рассказал о стремлении Intel воплощать в жизнь закон Мура посредством внедрения результатов новых исследований, использования новых материалов и инноваций в полупроводниковых технологиях и производстве.

Bob Baker

Боб Бейкер, старший вице-президент Intel

Основные тезисы сообщения Боба Бейкера представлены ниже.

22-нм процесс и архитектура Westmere

Вслед за президентом Intel Полом Отеллини Боб Бейкер еще раз продемонстрировал первые в мире микросхемы, созданные в соответствии с нормами 22-нанометрового процесса. Транзисторы High-K с металлическими затворами остаются ориентиром Intel при производстве процессоров. К сегодняшнему дню потребителям отгружено свыше 200 млн. процессоров. Поставки этих изделий, произведенных по 45-нм технологии, с транзисторами High-K корпорация начала в IV кв. 2007 г. и до сих пор остается единственным производителем, выпускающим подобные продукты. 32-нм технология успешно внедряется в практику Intel.

Кремниевые подложки для изготовления процессоров с архитектурой Westmere (32 нм) находятся в стадии подготовки к намеченному на IV кв. текущего года запуску их массового производства. Приглашенный Бобом Бейкером Хесус Дель Аламо (Jesus Del Alamo) из Массачусетского технологического института (Massachusetts Institute of Technology, MIT) рассказал о перспективах создания новых полупроводников из элементов III и V групп периодической системы Д.И. Менделеева. Он подчеркнул, что транзисторы на их основе могут работать намного быстрее современных, и для этого можно использовать вдвое меньшее напряжение (0,5 В), что отрывает перспективы для весьма значительной экономии электроэнергии. Предупредив, что впереди разработчиков ждет еще немало сложностей, он, тем не менее, отметил, что подобными проблемами занимается все большее число людей во всем мире и это способствует ускорению прогресса в микроэлектронике.

32-нм технология для «систем-на-чипе»

Intel разработала полнофункциональную технологию для подобных решений. Новые разработки предлагают широкий набор функций для смартфонов, мобильных интернет устройств (MID) и встраиваемых решений.

Перспективы твердотельных накопителей на основе флеш-памяти NAND

Твердотельные накопители Intel (Solid State Drive, SSD) удачно сочетаются с современными платформами и программами. Старший заслуженный инженер-исследователь (Intel Fellow), директор Storage Technologies Group Рик Коулсон (Rick Coulson) рассказал о новых разработках и оптимизации производительности SSD при сокращении их энергопотребления и стоимости для пользователя.

Производственные мощности

Intel добилась существенной экономии времени за счет оптимизации цепочки поставок сырья и оборудования, необходимых при изготовлении микросхем. Сроки производственных циклов сокращены на 62%. Быстрота реагирования на изменения количества и ассортимента в заказах клиентов повышена на 300%. Время выполнения заказа от его размещения до отгрузки потребителю за минувший год сократилось на 25%.