Hynix анонсировала модуль памяти объемом 2 Гб на базе 1-Гбит чипов

18 декабря 2006, 22:30

Hynix Semiconductor, второй по величине производитель DRAM-чипов сообщил, что им были представлены 1-Гбит чипы памяти, которые произведены с соблюдением техпроцесса 60 нм.

Новые 1-Гбит чипы памяти произведены по техпроцессу 60 нм и синхронизированы на работу при частоте 800 МГц. Благодаря новым чипам возможно произвести модуль емкостью 2 Гб, что позволяет предложить клиентам комплект из двух таких высокопроизводительных модулей (2×2 Гб).

Компания уверяет, что используя новый техпроцесс, стоимость производства 1-Гбит чипов памяти может быть снижена вплоть до 50% по сравнению с 80-нм аналогами. Какова будет розничная цена новых модулей мы увидим ближе к середине первого полугодия 2007 года.

Hynix

В указанных 50% не упоминается оценка работы R&D отдела, содержание которого стоит достаточно, чтобы существенно увеличить стоимость чипа. Разработка нового техпроцесса, трехмерной упаковки транзисторов, а также сопутствующие технологии (Например, внедрение новых материалов с лучшими характеристиками) – задача именно этого отдела. В связи с этим, мы думаем, что стоимость будет не менее, чем она есть сейчас.

В планах компании также представить модули памяти для серверного рынка. Hynix отмечает, что в связи с меньшими размерами упаковки появилась возможность произвести модули как в исполнении Registered DIMM, так и FBDIMM емкостью 4 Гб или даже более.