13 декабря 2006, 20:10
Группа сотрудников из Иллинойского Университета объявила о разработке нового транзистора с частотой 845 ГГц. Новый транзистор превосходит предыдущий мировой рекорд на целых 300 ГГц.
Отличительной особенностью новинки является ее компактность, толщина базы транзистора составляет всего 12,5 нм. Столь высокая частотная характеристика транзистора была достигнута, благодаря переориентации расстояния перехода в вертикальную плоскость.
Популярные статьи:
Новогодние подарки : уже пора задуматься ATi Radeon X1900 GT и X1950 XTX от Sapphire : высокое качество по приятной цене Apricorn Aegis Mini 60 GB : компактный накопитель с хорошим набором ПО Thermalright HR-03 : новый чемпион среди VGA-кулеров Ускоряем работу ноутбука : советы THG
|
следующая новость предыдущая новость |
|
Комментарии? Поправки? Дополнения? Ваши новости? rusmarket@tomshardware.com |
