Intel начала отгрузку 65-нм NOR флеш-памяти для мобильных телефонов
10 ноября 2006, 19:32
Корпорация Intel объявила о начале отгрузок мультиуровневых флеш-ячеек с NOR организацией. новые MLC выполнены по 65-нм техпроцессу, включая 1 Гбит чипы, которые предназначены для сотовых телефонов будущего, где очень важно дисковое пространство.
Плотность наших новых 1 Гбит чипов позволяет удвоить объем памяти без роста размера накопителей, - сказал Дарин Биллербек, вице-президент и главный менеджер подразделения флеш-памяти.
Скорость чтения новых 65-нм мультиуровневых NOR ячеек составляет 133 МГц, а записи 1 Мб/c. Приятно, что по сравнению с предыдущим поколением флеш-памяти компании удалось существенно увеличить скорость записи. Особенно если учесть, что этот параметр является слабой стороной памяти с NOR организацией. Кроме этого, производитель заявляет, что 65-нм MLC являются более экономичными, что позволяет увеличить срок жизни аккумулятора.
Intel сообщает, что новые 65-нм чипы совместимы с решениями предыдущего поколения. То есть при переходе с 90-нм чипов на базе архитектуры StrataFlash Cellular Memory (M18) производители не будут испытывать какие-то сложности.