 |
16:37 [Константин Серебряков]
Samsung устанавливает новый рекорд
- Тестирование скоростных USB-брелоков: огромная ёмкость и экстремальная производительность
- Новые продукты Seagate
- Жёсткий диск Samsung SV1604N: рабочая лошадка для дома
- Оснастки SATA для серверов и контроллеры
- Western Digital Media Center: внешний жёсткий диск с богатыми функциями
Компания Samsung объявила о создании на базе 90-нм технологического процесса 512-мегабитных чипов памяти GDDR3 (Graphics Double Data Rate), имеющих быстродействие 2 Гбит/сек на вывод.
Быстродействие 2 Гбит/сек на вывод означает, что память работает на частоте 1 ГГц, и 32-разрядный чип, таким образом, обеспечивает пропускную способность 8 Гбайт/сек, что на 70% быстрее по сравнению с распространенными 1,2-Гбит/сек решениями. Видеоускорители со 128-разрядной шиной памяти, как нетрудно подсчитать, получают в свое распоряжение пропускную способность 32 Гбайт/сек, а комбинирование шестнадцати 512-мегабитных чипов GDDR3 дает в сумме 1 Гбайт локальной видеопамяти (для сравнения, современные mainstream‑компьютеры в качестве системной памяти имеют вдвое меньше по объему и как минимум втрое ниже по скорости). Память с такими характеристиками идеальна для наложения сложных текстур на трехмерные анимированные изображения высокого разрешения и адресована для применения в рабочих станциях класса high-end и игровых консолях следующего поколения.
Samsung также начал массовое производство и отгрузку партнерам 512-мегабитной графической памяти GDDR3 с быстродействием 1,6 Гбит/сек на вывод, которая впервые была представлена в декабре 2004 года. Эти чипы выпускаются по 90-нанометровому техпроцессу, работают на частоте 800 МГц и обеспечивают пропускную способность 6,4 Гбайт/сек. Чипы GDDR3 имеют стандартную (по версии JEDEC) 136-контактную FBGA-упаковку.
Популярные статьи на THG.ru:
