 |
18:00 [Евгений Пугач]
Infineon и Nanya начали производство DRAM по 90-нм техпроцессу
- Новая линейка модулей памяти Corsair Xpert: выбор моддера
- Новый удар Intel: чипсет 925XE и P4EE 3,46 ГГц
- Сравнение ядер Pentium 4 Northwood и Prescott на частоте 4,1 ГГц
- Новый удар Intel: чипсет 925XE и P4EE 3,46 ГГц
Еще не так давно мы просто поражались, насколько передовые технологии используют Intel и AMD при производстве процессоров, а вот теперь эти технологии уже без особых проблем внедряются повсеместно. Вот и два крупных производителя памяти Infineon и Nanya переходят на 90-нм техпроцесс для производства чипов памяти DRAM. Причем причиной такого шага является не снижение энергопотребления и тепловыделения чипов, как это бывает у процессоростроителей, а банальное снижение расходов на производство.
Infineon сообщила о начале переоборудования завода в Дрездене для использования более тонкого техпроцесса. На данный момент лишь 5% чипов компании производятся с соблюдением норм допуска 90 нм. Кроме того, на совместном предприятии Infineon и Nanya – тайваньской Inotera Memories – также начато переоборудование. На рынке чипов памяти DRAM Infineon стала второй компанией, перешедшей на 90 нм, первым был лидер производства памяти Samsung.
В производстве обеих компаний используются 300-мм кремниевые пластины. По словам Infineon, использование 90-нм техпроцесса и 300-мм пластин позволяет снизить суммарные расходы на производство на 30% по сравнению со 110-нм техпроцессом.
Популярные статьи на THG.ru:
