Южнокорейский гигант Samsung сообщил о запуске в эксплуатацию линии по производству чипов NAND-флэш с уровнем технологического допуска 70 нм. Line 14 введена в строй с опережением графика на месяц. Таким образом, Samsung стала первым в мире производителем памяти NAND-флэш, начавшей коммерческую эксплуатацию линии 70-нм техпроцесса.
На производственной линии будут выпускаться чипы емкостью 4 Гбит из 300-мм пластин, а также чипы по 2 Гбит с нормой допуска 90 нм. Стартовая мощность линии - 4 тысячи пластин в месяц, к концу года запланировано довести выход до 15 тысяч пластин.
Новый техпроцесс предусматривает уменьшение размера ячейки чипа до 0,025 кв. мкм. Более того, переход на 70 нм позволил в полтора раза увеличить скорость потоковой записи в ячейку, доведя ее до 16 Мбит/сек. Такая скорость позволяет в реальном времени записывать на накопители видео высокого разрешения.
С учетом, что Samsung с 1999 года ежегодно удваивает емкость выпускаемых чипов памяти, стоит в этом году ждать выпуска чипов по 16 Гбит. А микросхемы емкостью 4 Гбит должны в этом году занять примерно 30% рынка флэш-памяти, оцениваемого в 8 млрд. долларов.